国产光刻胶自给率突破1%后,一个奇怪的现象出现了

来源:糖吉呵呵德 发布时间:2023-07-08 15:33:01


(资料图片仅供参考)

国产光刻胶,尤其是高端光刻胶领域的发展一直喜忧参半。面对日本等国家在高端光刻胶领域的绝对优势,国产光刻胶自给率仅有1%左右。然而,近日南大光电宣布成功研发国产ArF光刻胶,覆盖28nm至90nm的制程,这标志着国产光刻胶自给率突破了1%的重要里程碑。

然而,令人费解的是,尽管国产ArF光刻胶取得了初步成果,但国产EUV光刻机依然处于空白状态。这让人不禁产生疑问:难道国产光刻胶的进展只是虚有其表吗?

事实上,两者之间并不存在冲突。首先,ArF光刻胶仅仅是光刻胶中的一种类型,覆盖范围为28nm至90nm,而EUV光刻胶则用于更高精度的7nm光刻工艺。其次,南大光电研发的ArF光刻胶尚处于实验阶段,距离实际应用和量产仍有相当的差距。再者,国产光刻胶目前尚无法满足高端光刻机对材料的严格要求。最后,光刻机的研发涉及成千上万个零部件,仅凭光刻胶这一项技术的突破是远远不够的,需要光刻胶等众多技术的整体突破。

综上所述,南大光电的ArF光刻胶技术进展虽然标志着国产光刻胶自给率突破1%的里程碑,但离真正成为国产光刻机的决定性技术还有很长的路要走。

高科技产品的研发需要各种技术的突破和融合,不能仅依靠单一技术的进步。每当国产光刻胶取得某项进展时,网友们总是忍不住热情赞扬。然而,相较于过分的热情,保持理性的分析和支持对国产芯片光刻机研发的成功更为有益。

我们应该关注国产芯片光刻机领域的各项技术进展,鼓励创新,助力整个产业链的发展。只有在各项技术不断突破、整体实力不断提升的基础上,国产光刻机才能迈出坚实的步伐,为中国的芯片产业发展贡献力量。让我们一起为国产芯片光刻机的研发加油,期待更多的突破和成功!

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